2022成電求實(shí)專技繼續(xù)教育公需科目集成電路試題及答案

PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將（ ）

A、變窄

B、基本不變

C、變寬

D、無(wú)法判斷

答案：A

3、(單選，5分)

會(huì)造成元器件永久性損壞的擊穿是（ ）

A、齊納擊穿

B、雪崩擊穿

C、熱擊穿

答案：C

4、(單選，5分)
當(dāng)溫度升高時(shí)PN結(jié)反向飽和電流將（ ）

A、增加

B、減小

C、不變

D、無(wú)法判斷

答案：A

5、(單選，5分)
二極管的伏安特性可以構(gòu)造多種等效電路，對(duì)于不同的應(yīng)用場(chǎng)合應(yīng)選用不同的模型，下列適用于小信號(hào)分析的模型是（ ）

A、理想二極管模型

B、恒壓降模型

C、折線模型

D、微變等效模型

答案：D

6、(單選，5分)
穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是工作在（ ）

A、正向?qū)��?/p>

B、反向截止

C、反向擊穿

答案：C

7、(單選，5分)
當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為（ ）

A、前者反偏，后者也反偏

B、前者正偏，后者反偏

C、前者正偏，后者也正偏

D、前者反偏，后者正偏

答案：B

8、(單選，5分)
當(dāng)晶體管工作于飽和狀態(tài)時(shí)（ ）

A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

B、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

D、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

答案：A

9、(單選，5分)

當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)β將（ ）

A、減小

B、增大

C、不變

D、無(wú)法判斷

答案：B

10、(單選，5分)
當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的輸入特性曲線（ ）

A、左移

B、右移

C、不變

D、無(wú)法判斷

答案：A

11、(單選，5分)
當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的輸出特性曲線（ ）

A、上移

B、下移

C、不變

D、無(wú)法判斷

答案：A

12、(單選，5分)
場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么類型的器件（ ）

A、電壓控制電壓型

B、電壓控制電流型

C、電流控制電流型

D、電流控制電壓型

答案：A

13、(多選，5分)
uGS=0V 時(shí)能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管（ ）

A、結(jié)型管

B、增強(qiáng)型MOS管

C、耗盡型MOS管

答案：AC

14、(單選，5分)
與雙極型晶體管daydayup123.com比較，場(chǎng)效應(yīng)管（ ）

A、放大能力強(qiáng)

B、放大能力弱

C、輸入電阻小

D、輸出電阻大

答案：B

15、(單選，5分)
共源放大電路中的場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)工作在（ ）

A、可變電阻區(qū)

B、恒流區(qū)

C、夾斷區(qū)

D、擊穿區(qū)

答案：B

16、(單選，5分)
2000年，（ ）的成立標(biāo)志大陸地區(qū)開(kāi)始建立真正意義上的代工廠

A、中興通訊

B、中芯國(guó)際

C、中星微電子

D、華微電子

答案：B

17、(單選，5分)
（ ）年半導(dǎo)體技術(shù)被列為國(guó)家四大緊急措施之一

A、1955

B、1956

C、1957

D、1958

答案：A

18、(單選，5分)
（ ）造假事件對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了巨大負(fù)面影響。

A、龍芯

B、漢芯

C、華芯

D、中芯

答案：B

19、(單選，5分)
功能存在冗余是基于IP核復(fù)用設(shè)計(jì)方法的主要缺陷，這一說(shuō)法是（ ）的。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A